info@el-find.ru +7 (343) 302-00-16
Популярные категории
МикросхемыЭлектротехникаРасходные материалы
+7 (343) 302-00-16
Войти Войти
2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523

Изображение товара может отличаться от оригинала. Подробную информацию запрашивайте у менеджера.

2N7002T-7-F, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,15Вт, SOT523

5 отзывов
Модель
2N7002T-7-F
Артикул
8002633004
Наличие
1000
Производитель
Diodes Incorporated

38 р.

Вес, г
0.02
Серия
2N7002
Тип
Enhancement Mode Field Effect Transistor
Высота
0.8мм
Ширина
0.85
Длина
1.7мм
Категория продукта
МОП-транзистор
Подкатегория
MOSFETs
Продукт
MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Diodes Incorporated
Вид монтажа
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
+150 C
Минимальная рабочая температура
-55 C
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Minimum Operating Temperature (C)
-55
Maximum Operating Temperature (C)
150
Packaging
Tape and Reel
Mounting
Surface Mount
Производитель
DiodesZetex
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Brand
DiodesZetex
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Base Product Number
2N7002 -&gt,
HTSUS
8541.21.0095
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Количество каналов
1 Channel
Тип монтажа
Surface Mount
Размеры
1.7 x 0.85 x 0.8мм
REACH Status
REACH Unaffected
Minimum Operating Temperature
-55 C
Width
0.85мм
Конфигурация
Single
Operating Temperature
-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Height
0.8мм
Package / Case
SOT-523
Категория
Малый сигнал
Технология
Si
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
SOT-523
Упаковка / блок
SOT-523-3
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Число контактов
3
Pin Count
3
Configuration
Single
Maximum Power Dissipation (mW)
150
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-523
Package Height
0.75
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Automotive
No
Package Length
1.6
Package Width
0.8
Supplier Temperature Grade
Commercial
Количество элементов на ИС
1
Military
No
Power Dissipation (Max)
150mW (Ta)
Number of Elements per Chip
1
Product Category
Small Signal
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки
115 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Полярность транзистора
N-Channel
Тип транзистора
1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7.5 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Канальный режим
Enhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
80 mS
Типичное время задержки выключения
11 ns
Типичное время задержки при включении
7 ns
Максимальное сопротивление сток-исток
13,5 Ω
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC
115mA
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60V
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Материал транзистора
Кремний
Максимальный непрерывный ток стока
115 mA
Типичное время задержки включения
7 ns
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
22 пФ при 25 В
Maximum Continuous Drain Current
115 мА
Channel Mode
Поднятие
Maximum Drain Source Voltage (V)
60
Maximum Gate Source Voltage (V)
20
Maximum Continuous Drain Current (A)
0.115
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
7500@5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
22@25V
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
11
Typical Turn-On Delay Time (ns)
7
Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)
150mW
Rds On - Drain-Source Resistance
7.5О @ 50mA,5V
Vgs - Gate-Source Voltage
2V @ 250uA
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC
115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
FET Type
N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (Max)
В20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250ВA
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25C (W)
0.15
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
20
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25C (A)
0.115
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25C (A)
0.8
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
2
Operating Junction Temperature (C)
-55 to 150
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
10
Maximum IDSS (uA)
1
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
2@25V
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
1
Typical Output Capacitance (pF)
11

Не нашли то, что искали?

Мы свяжемся с Вамив течение 10 минути проконсультируем по всем вопросам

Хит продаж
Перейти в каталог
Перейти в каталог

Также рекомендуем

Кнопки, переключатели, разъемы, реле Провода, кабели, антенны Электронные компоненты

Почему этот товар стоит заказать у нас?

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Мы возвращаем деньги за любой товар или заменяем его в течение 14 дней, если он вам не подошёл, если он в исправном состоянии.

Поставки

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Гарантия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Груз

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Комиссия

Компания «El Find» даёт гарантии на всю свою продукцию. Возвращаем деньги за любой товар

Хотитеузнать о скидкахоптовым покупателям или нужна помощь с подбором товара?