СерияIRF
Другие названия товара №SIHF840-E3
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
Размер фабричной упаковки50
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаVishay Semiconductors
УпаковкаTube
Вид монтажаThrough Hole
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.29.00.95
Minimum Operating Temperature (C)-55
Maximum Operating Temperature (C)150
MountingThrough Hole
Количество каналов1 Channel
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Упаковка / блокTO-220-3
Pd - рассеивание мощности125 W
Время нарастания23 ns
Время спада20 ns
Pin Count3
ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation (mW)125000
Standard Package NameTO-220
Supplier PackageTO-220AB
Package Height9.01(Max)
PCB changed3
Lead ShapeThrough Hole
AutomotiveNo
Package Length10.51(Max)
Package Width4.65(Max)
MilitaryNo
Number of Elements per Chip1
Product CategoryPower MOSFET
Channel TypeN
Id - непрерывный ток утечки8 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток850 mOhms
Qg - заряд затвора63 nC
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Канальный режимEnhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.4.9 S
Типичное время задержки выключения49 ns
Типичное время задержки при включении14 ns
Channel ModeEnhancement
Maximum Drain Source Voltage (V)500
Maximum Gate Source Voltage (V)20
Maximum Continuous Drain Current (A)8
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)850@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)63(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)63(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1300@25V
Typical Fall Time (ns)20
Typical Rise Time (ns)23
Typical Turn-Off Delay Time (ns)49
Typical Turn-On Delay Time (ns)14
TabTab