Вес, г0.299
Серия2N7000
ТипMOSFET
Высота5.33мм
Ширина4.19мм
Длина5.2мм
Категория продуктаМОП-транзистор
ПодкатегорияMOSFETs
ПродуктMOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки2000
Тип продуктаMOSFET
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
УпаковкаAmmo Pack
Вид монтажаThrough Hole
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-55 C
ПроизводительON Semiconductor
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageCut Tape (CT)Tape & Box (TB)
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeThrough Hole
Base Product Number2N7000 -&gt,
HTSUS8541.21.0095
Тип корпусаTO-92
Количество каналов1 Channel
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Размеры5.2 x 4.19 x 5.33мм
REACH StatusREACH Unaffected
КонфигурацияSingle
Operating Temperature-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
КатегорияМалый сигнал
ТехнологияSi
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device PackageTO-92-3
Упаковка / блокTO-92-3
Pd - рассеивание мощности400 mW
Время нарастания10 ns
Время спада10 ns
Число контактов3
Количество элементов на ИС1
Power Dissipation (Max)400mW (Ta)
Transistor ConfigurationОдинарный
Id - непрерывный ток утечки200 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора1 N-Channel
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.2 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Канальный режимEnhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.0.1 S
Типичное время задержки выключения10 нс
Типичное время задержки при включении10 ns
Максимальное сопротивление сток-исток5 Ω
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25ВC200mA(Tc)
Transistor PolarityN Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60V
Максимальное рассеяние мощности400 мВт
Материал транзистораКремний
Максимальный непрерывный ток стока200 mA
Типичное время задержки включения10 нс
Minimum Gate Threshold Voltage0.3V
Максимальное напряжение сток-исток60 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds30 пФ при 25 В
Power Dissipation-Max (Ta=25ВC)400mW
Rds On - Drain-Source Resistance5О @ 500mA,10V
Vgs - Gate-Source Voltage3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC200mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max)В20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA