СерияBC817
ХарактеристикиСклад ЧИП и ДИП:26 октября1:бесплатно2, Магазин ЧИП и ДИП:27 октября1:бесплатно2, Курьер:28 октября1:500руб.3, Постамат PickPoint:27 октября1:131руб.3, ПВЗ Boxberry:27 октября1:207руб.3, ПВЗ СДЭК:28 октября1:193руб.3, ПВЗ Связной:29 октября1:130руб.3, ТК Деловые линии:28 октября1:600руб.3, Почта России:3 ноября1:240руб.3
г. Щербинка, Симферопольское шоссе, 14Анет в наличии
ул. Беговая, 2нет в наличии
ул. Гиляровского, 39нет в наличии
Волгоградский проспект, 9 строение 1нет в наличии
Высота1мм
Ширина1.35мм
Длина2.2мм
Другие названия товара №934021930115
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
ПодкатегорияTransistors
Размер фабричной упаковки3000
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Торговая маркаNexperia
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура-65 C
ПроизводительNexperia
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeSurface Mount
Base Product NumberBC817 -&gt,
HTSUS8541.21.0075
Тип корпусаUMT
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Размеры1 x 2.2 x 1.35мм
REACH StatusREACH Unaffected
SeriesAutomotive, AEC-Q101 -&gt,
КонфигурацияSingle
Operating Temperature150ВC (TJ)
Package / CaseSC-70, SOT-323
ТехнологияSi
Supplier Device PackageSOT-323
Упаковка / блокSOT-323-3
КвалификацияAEC-Q101
Pd - рассеивание мощности200 mW
Число контактов3
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Power - Max200mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Collector-Emitter Breakdown Voltage45V
Количество элементов на ИС1
Максимальная рабочая частота100 МГц
Transistor ConfigurationОдинарный
Полярность транзистораNPN
Тип транзистораNPN
Pd - Power Dissipation200mW
Максимальное рассеяние мощности200 мВт
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Maximum DC Collector Current500mA
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7 V
Максимальный пост. ток коллектора500 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току40
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Frequency - Transition100MHz
Максимальное напряжение коллектор-база50 В
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)45 В
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe160 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.160 at 100 mA, 1 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz