Вес, г3.32
СерияHEXFET
Высота16.51мм
Ширина4.83мм
Длина10.67мм
Максимальная рабочая температура+175 C
Минимальная рабочая температура-55 C
ПроизводительInfineon
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTube
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandInfineon
Mounting TypeThrough Hole
Base Product NumberIRFB7787 -&gt,
HTSUS8541.29.0095
Тип корпусаTO-220AB
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Размеры10.67 x 4.83 x 16.51мм
REACH StatusREACH Unaffected
SeriesHEXFETВ, StrongIRFETв„ў -&gt,
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Operating Temperature+175 C
Length10.67мм
Operating Temperature-55ВC ~ 175ВC (TJ)
Package / CaseTO-220-3
КатегорияМощный МОП-транзистор
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Package TypeTO-220AB
Supplier Device PackageTO-220AB
Число контактов3
Pin Count3
Количество элементов на ИС1
Power Dissipation (Max)125W (Tc)
Transistor ConfigurationОдинарный
Maximum Drain Source Voltage75 В
Channel TypeN
Maximum Gate Source Voltage-20 В, +20 В
Типичное время задержки выключения51 нс
Максимальное сопротивление сток-исток8,4 мΩ
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Максимальное рассеяние мощности125 W
Maximum Power Dissipation125 Вт
Конфигурация транзистораОдинарный
Материал транзистораКремний
Максимальный непрерывный ток стока76 A
Типичное время задержки включения11 ns
Minimum Gate Threshold Voltage2.1V
Максимальное напряжение сток-исток75 V
Типичный заряд затвора при Vgs73 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds4020 пФ при 25 В
Typical Gate Charge @ Vgs73 нКл при 10 В
Channel ModeПоднятие
Forward Diode Voltage1.2V
Maximum Gate Threshold Voltage3.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25ВC76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs109nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 46A, 10V
Vgs (Max)В20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 100ВA
Прямое напряжение диода1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость154s