Вес, г0.2
СерияSS8050
Высота4.58мм
Ширина3.86мм
Длина4.58мм
Другие названия товара №SS8050CBU_NL
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
ПодкатегорияTransistors
Размер фабричной упаковки10000
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
УпаковкаBulk
Вид монтажаThrough Hole
Максимальная рабочая температура+150 C
Минимальная рабочая температура65 C
ПроизводительON Semiconductor
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageBulk
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeThrough Hole
Base Product NumberSS8050 -&gt,
HTSUS8541.29.0075
Тип корпусаTO-92
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Размеры4.58 x 3.86 x 4.58мм
REACH StatusREACH Unaffected
КонфигурацияSingle
Operating Temperature150ВC (TJ)
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ТехнологияSi
Supplier Device PackageTO-92-3
Упаковка / блокTO-92-3
Pd - рассеивание мощности1 W
Число контактов3
Current - Collector (Ic) (Max)1.5A
Power - Max1W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)25V
Количество элементов на ИС1
Transistor ConfigurationОдинарный
Полярность транзистораNPN
Тип транзистораNPN
Максимальное рассеяние мощности1 Вт
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 1V
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 80mA, 800mA
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.25 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0,5 В
Максимальный пост. ток коллектора1,5 А
Максимальное напряжение эмиттер-база6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току40
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Frequency - Transition100MHz
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер1,2 В
Максимальное напряжение коллектор-база40 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)25 В
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Непрерывный коллекторный ток1.5 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe85
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 100 MHz