Вес, г0.112
СерияDPLS4140
Высота1.6 mm
Ширина3.5 mm
Длина6.5 mm
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
ПодкатегорияTransistors
Размер фабричной упаковки2500
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Вид монтажаSMD/SMT
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ
RoHS StatusROHS3 Compliant
Mounting TypeSurface Mount
Base Product NumberDPLS4140 -&gt,
HTSUS8541.29.0075
REACH StatusREACH Unaffected
КонфигурацияSingle
Operating Temperature-55ВC ~ 150ВC (TJ)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
ТехнологияSi
Supplier Device PackageSOT-223
Упаковка / блокSOT-223-4
Pd - рассеивание мощности1000 mW
Current - Collector (Ic) (Max)4A
Power - Max1W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)140V
Collector-Emitter Breakdown Voltage140V
Полярность транзистораPNP
Pd - Power Dissipation1W
Current - Collector Cutoff (Max)20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1A, 5V
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic360mV @ 300mA, 3A
Максимальный постоянный ток коллектора10 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.140 V
Maximum DC Collector Current4A
Напряжение коллектор-база (VCBO)180 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Frequency - Transition150MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер360 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания 150 MHz