СерияDG409
ХарактеристикиМультиплексорная архитектура:4:1, Configuration:Двойной 4:1, Multiplexer Architecture:4:1, Multiplexer/Demultiplexer Circuit:4:1
Высота1.5мм
Ширина4мм
Длина10мм
Другие названия товара №DG409
Категория продуктаИС многократного переключателя
ПодкатегорияSwitch ICs
Размер фабричной упаковки50
Тип продуктаMultiplexer Switch ICs
Торговая маркаMaxim Integrated
УпаковкаTube
Максимальная рабочая температура+ 85 C
Минимальная рабочая температура-40 C
ПроизводительMaxim Integrated
ECCNEAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
PackageTube
RoHS StatusROHS3 Compliant
BrandMaxim Integrated
Mounting TypeПоверхностный монтаж
Base Product NumberDG409 -&gt,
HTSUS8542.39.0001
Тип корпусаSO
Количество каналов2 Channel
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Размеры10 x 4 x 1.5мм
REACH StatusREACH Unaffected
Maximum Operating Temperature+85 C
Width4мм
Length10мм
Operating Temperature-40ВC ~ 85ВC (TA)
Height1.5мм
Dimensions10 x 4 x 1.5мм
Package / Case16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Package TypeSO
Supplier Device Package16-SO
Упаковка / блокSOIC
Number of Circuits2
Pd - рассеивание мощности696 mW
Рабочее напряжение питания9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V
Количество каналов на ИС2
Число контактов16
Number of Channels per Chip2
Typical Single Supply Voltage5→ 30 В.
Power Supply TypeДвойной, одиночный
Напряжение питания - макс.30 V, 0.5 mA
Напряжение питания - мин.5 V
Switch TypeАналоговый
On-State Resistance (Max)100Ohm
Типичное двойное напряжение питания5 to 20V
Тип питанияSingle Supply, Dual Supply
Время задержки распространения175 ns
Максимальное напряжение сдвоенного питания+/- 20 V
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))3pF, 14pF
Channel-to-Channel Matching (Ron)1.5Ohm
Current - Leakage (IS(off)) (Max)500pA
Switch Time (Ton, Toff) (Max)150ns, 150ns
Voltage - Supply, Dual (VВ)В5V ~ 20V
Voltage - Supply, Single (V+)5V ~ 30V
Number of Inputs per Element4
Input Signal TypeTTL/CMOS
Crosstalk-92dB @ 100kHz
Switch CircuitSP4T
Время включения - макс.600 ns
Время отключения - макс.300 ns
Сопротивление во включенном состоянии - макс.175 Ohms
Maximum Power Dissipation696 мВт
Количество выходов на элемент1
Количество входов на элемент4
Charge Injection2pC